در این مقاله یک روش جدید برای حفاظت دیفرانسیل ترانسفورماتور قدرت ارائه می شود. در این روش برای تشخیص جریان هجومی از جریان خطای داخلی ترانسفورماتور قدرت از تبدیل موجک استفاده می شود. با استفاده از تبدیل موجک گسسته، سیگنال جریان به زیر باندهایی تجزیه می شود که اطلاعات بیشتری از ویژگی های سیگنال در باندهای فرکانسی مختلف در اختیار قرار می دهد. همچنین از تبدیل موجک برای بررسی توزیع انرژی سیگنال در مقیاس های زمانی و فرکانسی مختلف استفاده می شود. این روش تشخیص بر اساس ضریب همبستگی بین بردارهای درصد انرژی ضرایب حاصل از تبدیل موجک است. به این صورت که با استفاده از تبدیل موجک گسسته سیگنال جریان به مولفه های فرکانسی مختلف تبدیل می شود. سپس با تشکیل بردارهای درصد انرژی ضرایب تبدیل موجک و محاسبه ضرایب همبستگی بین این بردارها، امکان ایجاد یک معیار تشخیص جهت شناسایی جریان هجومی از جریان خطا در الگوریتم پیشنهادی ایجاد می شود. روش ارائه شده در این مقاله برای شرایط مختلف، با استفاده از سیگنال های جریان هجومی و جریان خطای شبیه سازی شده مورد بررسی قرار می گیرد. شبیه سازی سیگنال های جریان با استفاده از برنامه گذرای الکترومغناطیسی PSCAD/EMTDC که برنامه قدرتمندی برای بررسی سیگنال های گذرا است، انجام می شود. نتایج شبیه سازی نشان می دهند که الگوریتم پیشنهادی به درستی قادر به تشخیص جریان هجومی از جریان خطای داخلی در محدوده حفاظت دیفرانسیل ترانسفورماتور قدرت در زمانی کمتر از یک چهارم سیکل فرکانس قدرت می باشد. همچنین علاوه بر دقت و قابلیت اطمینان بالا، روش پیشنهادی دارای حجم محاسباتی کمی بوده و بر خلاف بسیاری از روش های معمول نیازی به تعیین آستانه عملکرد، در هر سیستم قدرت جدید را ندارد.

یکی از آزمون های اصلی کلید های قدرت ارزیابی قدرت قطع آنها در جریان های اتصال کوتاه می باشد. انجام این آزمون به روش مستقیم نیازمند منبعی با توان بسیار بالا می باشد اما با استفاده از روش سینتتیک و تأمین جریان و ولتاژ از دو منبع مجزا، کاهش قابل ملاحظه ای در توان منبع صورت خواهد پذیرفت. در این مقاله طراحی، توسعه و ساخت یک مجموعه آزمایشگاهی قطع اتصال کوتاه کلیدهای خلأ فشارمتوسط به روش سینتتیک با اتصال به شبکه توزیع ارائه گردیده است. توسعه و ساخت این مجموعه امکان انجام آزمون های قطع اتصال کوتاه بر روی کلیدهای خلأ را مطابق با استاندارد های بین المللی در داخل کشور فراهم ساخته است. اندازه گیری های آزمایشگاهی نشان می دهد مجموعه ساخته شده از تطابق مناسبی با طراحی برخوردار بوده و می توان جهت انجام آزمون استاندارد قدرت قطع اتصال کوتاه روی کلیدهای خلأ از این مجموعه بهره برداری نمود.

در این پژوهش، با استفاده از روش تفاضلات متناهی حوزه زمان، تأثیر حضور نانواستوانه های آلومینیومی توپر و شامل حفره هایی به شکل بیضی وار (هسته ها) بر روی کمیت های چگالی جریان اتصال- کوتاه و جذب در سلول خورشیدی آلی ITO/PEDOT:PSS/P3HT:PCBM/ZnO/Al  بررسی شده است. نانوذرات در الگویی هگزاگونالی شکل در داخل لایه P3HT:PCBM و در مرز با لایه ZnO واقع شده اند. برای شبیه سازی از الگوی طیفی استاندارد خورشید 5ر1AM در محدوده طیفی  nm1200-300 استفاده شده است. محاسبات نشان داده است که حضور نانواستوانه های مختلف باعث بهبود چشم گیر در مقادیر کمیت های بالا می شود. این افزایش به ویژه در محدوده طول موج های بالا چشم گیرتر است. علاوه بر این، وجود نانواستوانه ها ضخامت بهینه  nm 150 را برای لایه فعال P3HT:PCBM ، سلول خورشیدی ایجاد می کند، به طوری که کمیت های بیان شده، بالاترین مقادیر را دارند. این ضخامت بهینه مستقل از وجود هسته های دی الکتریک در نانواستوانه ها می باشد. مقایسه نتایج محاسبات در شرایط مختلف نشان می دهد که وقتی ضخامت لایه فعال  nm 150 ، ارتفاع و شعاع نانواستوانه ها  nm50 و nm 15 و حفره های بیضی وار شکل دارای شعاع های کوچک و بزرگ nm 1 و nm 15 باشند، چگالی جریان اتصال- کوتاه و جذب سلول خورشیدی موردنظر دارای بهینه ترین مقادیر خود می باشند.